WIIKI.RU: Samsung открыла дорогу 256-гигабайтным смартфонам

Информационные технологии представляют собой широкий класс дисциплин и сфер деятельности, которые относятся к технологиям создания, хранения, управления, ... читать далее »

Новости ИТ

26.02.2016 19:28

Samsung открыла дорогу 256-гигабайтным смартфонам. Информационные технологии.

Компания Samsung приступила к серийному производству первого чипа памяти емкостью 256 гигабайт, основанного на Universal Flash Storage 2.0 (UFS) — новом стандарте хранения данных на базе флеш-памяти для смартфонов и планшетов. Новинка придаст будущим мобильным устройствам рекордную производительность — выше, чем у среднего SSD-накопителя c интерфейсом SATA в ноутбуках и компьютерах.

Скорость чтения микросхемы составит 850 мегабайт в секунду, скорость записи — 250 Мбайт/с., сообщается в пресс-релизе. Другими словами, чип Samsung сможет считывать информацию втрое быстрее, чем самая высокопроизводительная на сегодняшний день microSD-карта памяти.

В основе разработки корейской компании лежит V-NAND — технология "трехмерной" флеш-памяти, которая отличается особо высокой плотностью записи данных. За счет этого чип Samsung способен выполнять до 45 тысяч операций чтения и до 40 тысяч операций записи в секунду (IOPS) — вдвое быстрее, чем предлагает стандарт UFS 1-го поколения.

Новая UFS-память объемом 256 ГБ будет способна без задержек воспроизводить видео в качестве Ultra HD на больших экранах мобильных устройств, а также хранить около 47 фильмов в формате Full HD. "Кроме того, с появлением смартфонов следующего поколения, поддерживающих интерфейс USB 3.0, пользователи смогут передавать данные между устройствами гораздо быстрее. Интерфейс USB 3.0 позволит передать 5-гигабайтный эквивалент видеоклипа Full HD (фильм средней продолжительностью 90 минут) за 12 секунд" — сказали в Samsung.

Вполне возможно, что Samsung первой укомплектует памятью 256 ГБ с UFS 2.0 собственное устройство — например, Galaxy Note 6. Как ожидается, флагманский фаблет нового поколения будет представлен этой осенью.

http://hitech.vesti.ru/news/view/id/8760