Компания Buffalo продемонстрировала образцы твердотельных накопителей, в которых роль кеша играют микросхемы магниторезистивной памяти с произвольным доступом (MRAM).

Твердотельный накопитель Buffalo с MRAM-памятью (фото Tech-On!).

Память MRAM, хранящая информацию при помощи магнитных моментов, совмещает достоинства динамической и флеш-памяти. Микросхемы MRAM обладают небольшим временем доступа и вместе с тем являются энергонезависимыми, то есть могут хранить данные без питания. Кроме того, в отличие от флеш-памяти, характеристики MRAM не ухудшаются за время эксплуатации.

Отмечается, что применение MRAM-чипов в качестве кеша в SSD-дисках позволяет повысить надёжность: в частности, в случае сбоев в системе подачи питания минимизируется риск потери информации. Кроме того, повышаются показатели энергетической эффективности и скорости передачи данных.

Представленные компанией Buffalo изделия имеют вместимость 4 Гб; объём MRAM-кеша равен 8 Мб. Накопители ориентированы на использование в промышленном оборудовании, которое эксплуатируется при температурах до плюс 85 ˚С.

Благодаря своей универсальности память MRAM, как ожидается, в перспективе найдёт применение в самых разнообразных устройствах — от смартфонов и персональных компьютеров до бытовой техники.