Компании IBM и Micron приступают к изготовлению инновационной памяти Hybrid Memory Cube (HMC) для компьютерных устройств следующего поколения.

Структура Hybrid Memory Cube (иллюстрация IBM).

Изделия HMC будут изготавливаться на заводе IBM в Ист-Фишкилле (штат Нью-Йорк) по методике HKMG , которая основана на использовании диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate). Технологические нормы — 32 нанометра.

Для модулей памяти HMC предусмотрено применение технологии TSV ( Through-Silicon Via ), суть которой в формировании в кремниевых подложках миниатюрных отверстий, заполняемых медью. Такие каналы играют роль проводников, что позволяет создавать многоярусные чипы. В результате существенно повышается плотность хранения информации.

Многослойные модули HMC состоят из кристаллов DRAM, дополненных высокопроизводительной управляющей логикой. По заявлениям разработчиков, по сравнению с обычными микросхемами памяти изделия HMC обеспечивают увеличение пропускной способности в 10–15 раз (до 128 Гб/с) и снижение энергопотребления на 70%. Занимаемая модулем площадь при этом меньше в 10 раз.