Для преодоления этой проблемы авторы обратились к спектроскопии высокого разрешения характеристических потерь энергии электронами и визуализации в режиме кольцевого тёмного поля (ADF), которые выполняются на сканирующем просвечивающем микроскопе. В результате удалось продемонстрировать эффективность выбранной стратегии для исследования поведения кремния, одной из самых частых примесей в графене, полученном при высокой температуре методом химического осаждения из газовой фазы (CVD). Такого рода примеси в составе графена появляются потому, что этот элемент присутствует повсюду в кварцевых компонентах оборудования, обычно используемого при CVD. Внедрение примесного кремния способно повлиять на многие свойства графена, особенно на его проводимость, что и заставляет изучать поведение отдельных элементов в этой двумерной углеродной матрице. 

В своей публикации в журнале Physical Review Letters учёные рассказывают о том, как метод ADF позволяет проводить химический анализ, перебирая атом за атомом, причём полученные данные соответствовали планарной геометрии примесных центров вне зависимости от того, трёх- или четырёхкоординированный атом кремния присутствует в данном месте. Кроме того, спектроскопия даёт детальную информацию о природе примесей, которая подтверждается расчётами с использованием теории функционала плотности (DFT). Исследователи утверждают, что, хотя разработанный подход идеален для изучения графена, он может быть распространён и на случай индивидуальных молекул в других двумерных материалах.