Профессор Йорам Даган из Тель-Авивского университета (Израиль) обнаружил, что если покрыть высокотемпературный сверхпроводник на основе меди слоем органического вещества, а затем облучать его светом, то можно добиться лёгкого изменения температуры, при которой материал начинает быть сверхпроводящим. 

Хотя колебание не слишком велико, по мнению учёного, оно способно найти применение — к примеру, при создании принципиально нового вида компьютерной памяти.

Сейчас для изменения температуры наступления сверхпроводимости применяются, по сути, химические механизмы — допирование, удаление или добавление ионов. А вот г-н Даган, как видим, пошёл по другому пути. И выиграл?

По сути, эффект близок к допированию, однако, в отличие от него, обратим и управляем — что, конечно, большой плюс. (Иллюстрация Yoram Dagan et al.)

Исследователи покрыли сверхпроводящий материал толщиной 50 нм слоем органики в одну молекулу. После этого органическое вещество на поверхности сверхпроводника облучалось видимым светом и ультрафиолетом. Учёные последовательно испытали три вида органических покрытий. Для второго тестового материала УФ-облучение вызвало повышение критической температуры (Tс), при котором наступала сверхпроводимость, в то время как видимый свет, напротив, снижал температуру перехода. Третий вид органических молекул поднимал температуру перехода в состояние сверхпроводника при включённом свете и уменьшал её при его выключении.

Теоретический базис наблюдавшихся явлений не вполне понятен. Что, наверное, не должно удивлять, если вспомнить об общей неясности механизма высокотемпературной сверхпроводимости. Но некоторые мысли у физиков всё же есть. На их взгляд, механизм сходен с допированием графеновыми слоями: после светового воздействия органические молекулы передают избыточные электроны близлежащим слоям сверхпроводника, что позволяет несколько повысить критическую температуру. Впрочем, пока полученный эффект не очень значим: колебания в одну сторону для Tс не превысили одного кельвина.

И тем не менее, по словам учёных, вновь обнаруженный механизм влияния на свойства сверхпроводника можно использовать для создания принципиально нового вида энергонезависимой памяти, которая не будет нагреваться во время работы.