Японская компания Elpida объявила о создании быстродействующих образцов энергонезависимой резистивной памяти с произвольным доступом (ReRAM).

Президент и исполнительный директор Elpida Юкио Сакамото (фото Maurice Tsai / Bloomberg).

Память ReRAM (или RRAM) совмещает достоинства DRAM и флеш-памяти NAND. Микросхемы ReRAM способны обеспечивать приблизительно такое же быстродействие, что и DRAM, оставаясь при этом энергонезависимыми. По сравнению с NAND память нового типа характеризуется меньшим потреблением энергии и на порядок бóльшим числом циклов перезаписи.

Прототипы микрочипов ReRAM, представленные компанией Elpida, выполнены по 50-нанометровой технологии. Их ёмкость составляет 64 мегабита. В 2013 году Elpida рассчитывает освоить выпуск микросхем ReRAM по 30-нанометровой технологии; эти изделия будут относиться к гигабитному классу.

Использовать память нового типа планируется в персональных компьютерах, карманных медиаплеерах, видеокамерах и пр.

Исследования в области памяти ReRAM ведут и другие компании, в частности южнокорейский производитель Samsung.

источник