3.1 Сканирующая зондовая микроскопия
3.3 Самоорганизация наночастиц
3.4 Проблема образования агломератов
4.3 Наномедицина и химическая промышленность
4.4 Компьютеры и микроэлектроника
6 Отношение общества к нанотехнологиям
6.1 Реакция мирового сообщества на развитие нанотехнологий
6.2 Реакция российского общества на развитие нанотехнологий
6.3 Нанотехнологии в искусстве
В лекциях под названием “Scaling Challenges: Device Architectures, New Materials, and Process Technologies” основное внимание представители IBM уделили микротехнологиям. В других под названием “Low Power/Low Energy Circuits: From Device to System Aspects” были рассмотрены вопросы снижения потребляемой мощности устройств.
В своём выступлении представитель IBM Research Division отметил, что к производству кремниевых чипов можно применить проектные нормы 15 нм, 11 нм, и даже ещё более прецизионные техпроцессы. Но для этого требуется существенно изменить существующие архитектуру полупроводниковых приборов, а также использовать так называемые полностью обеднённые транзисторы. Для “сверхтонких” техпроцессов можно применять FinFET-транзисторы, ETSOI (extremely thin SOI) и нанонити.
Как отмечается, при переходе на 15– и 11-нм техпроцессы повысить производительность микросхем с помощью микротехнологий уже не удастся на столько, сколько это позволяют чипы 32– и 22-нм поколений. В чипах “10-нм класса” снижения удельной потребляемой мощности в расчете на производительность IBM планирует добиться за счет масштабирования длины затвора, ширины канала транзистора и напряжения питания.
По прогнозам IBM, в ближайшее десятилетие мы станем свидетелями грандиозного увеличения количества элементов в полупроводниковых микросхемах – от 50 до 100 и более миллиардов.
www.nanonewsnet.ru