3.1 Сканирующая зондовая микроскопия
3.3 Самоорганизация наночастиц
3.4 Проблема образования агломератов
4.3 Наномедицина и химическая промышленность
4.4 Компьютеры и микроэлектроника
6 Отношение общества к нанотехнологиям
6.1 Реакция мирового сообщества на развитие нанотехнологий
6.2 Реакция российского общества на развитие нанотехнологий
6.3 Нанотехнологии в искусстве
Технология была представлена в ходе Международной встрече по электронным устройствам в Балтиморе – одной из крупнейших мировых конференций, посвященных полупроводникам.
Новая технология предполагает формирование трех слоев в канале: эпитаксиального кремния, кремния, легированного углеродом (Si:C), и слоя Si:C, легированного бором. При этом верхний слой эпитаксиального кремния выполняет роль проводника с низким сопротивлением для электронов и дырок; средний слой Si:C препятствует диффузионному распространению примеси, а нижний слой Si:C, легированный бором, подавляет утечки, вызванные формированием слоя Si:C.
По данным Toshiba, применение новой структуры позволяет получить выигрыш в производительности на 15–18% по сравнению с традиционными технологиями. Предложенная структура может быть использована для формирования как nMOS, так и pMOS транзисторов, причем переход на ее использование требует внесения всего лишь нескольких относительно простых этапов в обычный процесс изготовления CMOS-чипов.