Совместное предприятие Intel и Micron компания IM Flash Technologies объявила о разработке микрочипов флеш-памяти NAND нового поколения.

Иллюстрация Intel.

Представлены, как утверждается, первые в мире NAND-чипы ёмкостью 128 Гбит. Они производятся по 20-нанометровой технологии; задействована методика HKMG , предусматривающая применение диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью (high-k) и транзисторов с металлическими затворами (metal gate).

Изделия соответствуют спецификации ONFI 3.0, обеспечивая скорость до 333 млн пересылок в секунду. Объединив восемь чипов, можно получить терабитный модуль. Ожидается , что новые чипы позволят создавать 2,5-дюймовые твердотельные диски вместимостью до 2 Тб, а также компактные накопители на 1 Тб для мобильных гаджетов.

Образцы NAND-чипов ёмкостью 128 Гбит станут доступны в январе; массовое производство намечено на первую половину 2012-го. Отмечается также, что компания IM Flash Technologies уже приступила к серийному производству 20-нанометровых чипов NAND ёмкостью 64 Гбит. Изделия найдут применение в накопителях для планшетов, смартфонов, в SSD-дисках и пр.