Японская компания Elpida Memory объявила о разработке четырёхгигабитных (4 Гбит) микросхем памяти DDR3 Mobile RAM (LPDDR3), произведённых по 30-нанометровой технологии.

Иллюстрация Elpida.

По утверждениям Elpida, новые изделия обеспечивают вдвое более высокую скорость передачи данных по сравнению с нынешней памятью DDR2 Mobile RAM (LPDDR2). Пропускная способность LPDDR3 составляет 6,4 Гб/с; в конфигурации из двух микросхем этот показатель возрастает до 12,8 Гб/с. Напряжение питания — 1,2 В.

Представленные изделия предназначены для использования в мобильных устройствах, в частности планшетных компьютерах и смартфонах. Elpida отмечает, что при сопоставимом с LPDDR2 быстродействии микросхемы LPDDR3 позволяют добиться 25-процентного снижения потребляемой энергии, что экономит заряд аккумуляторной батареи.

Пробные образцы 30-нанометровых микросхем памяти LPDDR3 начнут поставляться к концу года; массовое производство стартует не ранее второй половины 2012-го.